温度和保温时间对合成氧氮化硅的影响

来源 :第十八届全国高技术陶瓷学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dylwq

【摘要】

：

　　以单质Si粉和SiO2微粉为反应原料,在真空氮气炉中以高纯氮气保护,合成制备了Si2N2O.研究了反应温度(1400,1420,1440,1460,1480和1500℃)和保温时间(2,3,4和5h)对合成Si2N

【作者】

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聂建华文晋尹国恒梁永和尹玉成徐超邱文冬赵伟

【机构】

：

武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,湖北武汉430081

【出处】

：

第十八届全国高技术陶瓷学术年会

【发表日期】

：

2014年期

【关键词】

：

反应温度保温时间合成制备氧氮化硅合成产物反应原料氮气保护原子比

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　　以单质Si粉和SiO2微粉为反应原料,在真空氮气炉中以高纯氮气保护,合成制备了Si2N2O.研究了反应温度(1400,1420,1440,1460,1480和1500℃)和保温时间(2,3,4和5h)对合成Si2N2O的影响,利用XRD、SEM、EDX和TEM等手段对合成产物的相组成和形貌进行了表征.结果表明：反应温度为1460℃并保温3h可以合成高纯的微米级片状和板状的Si2N2O,此时产物中Si∶N∶O非常接近于Si2N2O理论原子比2∶2∶1.

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