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为了获得适合用于多晶硅薄膜太阳电池的多晶硅薄膜,该论文在中温情况下(退火温度在750℃-950℃之间)对传统的固相晶化方法进行了研究.通过Raman光谱分析获得了退火后多晶硅薄膜的结晶度随退火温度、退火时间和升、降温速率的变化规律,并发现了晶化过程中存在有可逆现象.
a-Si:H薄膜固相晶化过程中的可逆现象
【摘 要】
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为了获得适合用于多晶硅薄膜太阳电池的多晶硅薄膜,该论文在中温情况下(退火温度在750℃-950℃之间)对传统的固相晶化方法进行了研究.通过Raman光谱分析获得了退火后多晶硅薄膜的结晶度随退火温度、退火时间和升、降温速率的变化规律,并发现了晶化过程中存在有可逆现象.
【机 构】
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教育部材料物理重点实验室-郑州大学(郑州)
【出 处】
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2004年中国生物质能技术与可持续发展研讨会
【发表日期】
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2004年7期
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