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本文采用P<100>CZ硅片制作硅光单体电池,并对RTP烧结铝背场工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对wafer少子寿命有一定影响,硅片经铝背场烧结后寿命变化更加明显,而且氧、碳形态也发生了变化.适当的RTP工艺促成以氧沉淀为主体的络合体.络合体的吸杂及Al-Si界面晶格失配造成的应力吸附作用减少了载流子的复合中心,从而提高了光生载流子的扩散长度,使少子寿命提高.