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该文报道了一种含新型载流子限制光栅的1.55um InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器。研究人员对该器件的掺杂与结构进行了优化，增强了载流子限制光栅的作用得到了很强的增益耦合。器件利用LPE和MOCVD混合生长，在端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率。
含新型载流子限制光栅的1.55um InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器及其优化（1）
【摘 要】
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该文报道了一种含新型载流子限制光栅的1.55um InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器。研究人员对该器件的掺杂与结构进行了优化，增强了载流子限制光栅的作用得到了很强的增益耦
【机 构】
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大学电子工程系,集成光电子学国家重点买验室
【出 处】
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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1998年期
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