【摘 要】
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分析研究了用注F工艺制作的CC4007电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明，把适量的F注引入栅介质，能明显抑制辐射所引起的PMOSFET阈电压负向漂移和NMOSFET阈电压的正向回漂及
【出 处】
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第九届全国核电子学与核探测技术学术年会
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分析研究了用注F工艺制作的CC4007电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明，把适量的F注引入栅介质，能明显抑制辐射所引起的PMOSFET阈电压负向漂移和NMOSFET阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。I-V特性表明，栅介质中的F能减小辐射感生氧化物电荷和界面态的增长积累。注F栅介质电子和X射线辐照敏感性的降低，其机理是F能释放S/SO<,2>界面应力，并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的应力键和弱键。
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