【摘 要】
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为了深入研究表面处理工艺对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响,本文在栅金属淀积前,分别采用1∶5和1∶10浓度的HCl溶液对样品表面进行了1 min的处理,并与未采用HCl处理的器件的
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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为了深入研究表面处理工艺对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响,本文在栅金属淀积前,分别采用1∶5和1∶10浓度的HCl溶液对样品表面进行了1 min的处理,并与未采用HCl处理的器件的直流特性进行了对比分析.测试结果表明:经1∶5和1∶10的HCl溶液处理后器件的最大饱和电流分别降低了27％和43％,跨导峰值分别降低了9％和48％,且1∶5的HCl处理后的样品阈值电压绝对值增大了1V.分析发现,由于表面氧化物具有表面施主的性质可以提高2DEG浓度,而高浓度的HCl对部分氧化的GaN盖帽层的腐蚀是导致跨导剧烈下降和阈值电压绝对值增大的主要原因.同时,本文对上述三种样品的栅漏电特性的研究表明,经1∶5和1∶10的HCl浓度表面处理后,栅极泄漏电流分别降低了1～2个数量级,且通过与未采用HCl处理的不同栅宽器件的栅特性的对比,发现表面氧化过程主要集中在台面边缘.
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