不同二氧化硅源对高温氮化反应合成氧氮化硅的影响

来源 :第十八届全国高技术陶瓷学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:vbcjun
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以单质硅和不同的二氧化硅(SiO2含量分别为98.3%、99.14%、97.67%、99.999%的分析纯二氧化硅、工业石英粉、SiO2微粉、高纯石英玻璃粉)为原料于1460℃下通入高纯氮气高温反应合成Si2N2O,并对合成的粉末进行XRD物相定性及定量分析,扫描电子显微镜对微观形貌观察及微区成分分析,研究了二氧化硅源对合成试样中的Si2N2O含量及形貌的影响.结果表明,以工业石英粉及SiO2微粉为二氧化硅源高温氮化合成的试样中Si2N2O的含量均达到80%以上,其它物相以Si3N4为主,以分析纯二氧化硅及高纯石英玻璃粉为二氧化硅源高温氮化合成的试样中Si2N2O的达含量95%以上;以不同的二氧化硅为原料合成的试样中Si2N2O的形貌均为柱状或片层状,合成试样中Si2N2O的各元素的原子比能谱分析结果也接近Si2N2O的理论原子比,通过结构精修的方法得出的合成试样中Si2N2O的晶胞参数也与Si2N2O的理论晶胞参数相差不大.
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