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采用X射线双晶衍射与三轴晶衍射技术分析了立方GaN/GaAs(001)外延层的结构特性。GaN(002)、(004)晶面的结构振幅相近，但(002)晶面的X射线双晶摇摆曲线的积分强度是(004)的5倍多，利用影响积分强度的因素详细分析了引起这种差异的原因。双晶衍射ω摇摆曲线中包含晶向效应和晶格参数效应引起的衍射峰的加宽信息，使用X射线三轴晶衍射技术分别测出这两种效应的大小，并利用倒易空间和Eward反射球解释了这些效应的加宽。