【摘 要】
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本文采用等离子体辅助金属有机物化学气相沉积法在不同衬底上生长非故意掺杂p型ZnO薄膜.最佳电阻率为12.7 cm,空穴浓度为1.88×1017 cm-3,迁移率达2.6 cm2/V s.二次离子质谱
【机 构】
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浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文采用等离子体辅助金属有机物化学气相沉积法在不同衬底上生长非故意掺杂p型ZnO薄膜.最佳电阻率为12.7 cm,空穴浓度为1.88×1017 cm-3,迁移率达2.6 cm2/V s.二次离子质谱测试表明薄膜中的氧含量在等离子体生长的ZnO中显著增加.通过变温光致发光谱研究了ZnO薄膜中的受主行为.
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