X型号制导站的可靠性鉴定试验

来源 :中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tushudasha
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文介绍了X型号制导站定型阶段的可靠性鉴定试验.这次试验准备比较充分,严格按试验程序操作,试验结合武器系统校飞进行,自然条件恶劣,试验记录齐全,圆满完成任务,试验一次成功.
其他文献
本文对集成电路静电损伤(人体模型)和过电应力损伤进行了研究,从I-V特性测试、带钝化层芯片表面扫描电镜观察及芯片表面剥层后的扫描电镜观察三个方面,分析比较出过电应力损伤和静电损伤的区别,在给集成电路下失效分析结论时有重要的参考意义.
本文分析和介绍了一种新的铅迁移引起失效的失效模式.通过对某型号工程用的DC/DC变换器的失效分析,确定了失效样品在长时间的高温寿命试验中密封胶体内高温高湿和氯污染的环境和电场的作用下,引起了铅焊料的循环腐蚀和迁移形成树枝状结晶物累积而使混合集成电路失效.
本文通过分系统在热循环试验中失效元器件的典型失效案例的分析,发现在热循环试验中导致元器件失效的原因是试验中没有防结露措施或措施不当造成的;文章分析了热循环试验中水汽结露导致元器件失效的发生机理和对分系统产生的危害,强调了分系统热循环试验中防结露措施的重要性,并对热循环试验中的防结露保护措施提出了改进方法.
文章主要通过多余物的危害性引出了目前我国对空腔元器件内部多余物的检测技术,介绍了多余物检测的项目,同时简单概括了多余物的鉴别和控制方法.
本文重点论述了微电子器件在整个制造工艺中锈生的缺陷对器件质量和可靠性的影响,并介绍了国内外厂、所对工艺环境及工艺缺陷的控制方法.
本文从热载流子效应引起器件特性退化角度出发,对几种不同沟长n沟MOSFET的主要特性参数(线性区最大跨导)在直流电应力下的退化特性进行了测试与分析比较,还从热载流子效应机理对器件退化模式进行了解释.
本文介绍了一次对模数转换电路AD574A的分析,这次分析包括硬件和测试两个部分.在硬件设计方面方面作重考虑了抗噪声干扰的问题;测试技术方面解决了测试时的精度问题.
本文介绍了采用X-射线透视照相技术对半导体器件的生产过程中需要对某道工序的质量检查,看是否符合技术规范的要求和失效分析前为避免破坏原失效现象和引入新的失效机理,使失效分析工作得以快而准顺利进行的实例.
石英谐振式称重传感器是一种新型的数字式传感器.文献[1]通过对该种传感器研制和生产中的可靠性试验,找到了传感器初样的系统性薄弱环节,并通过对传感器的结构进行改进,消除了系统性薄弱环节,使传感器的可靠性水平得以提高.本文根据文献[1]提供的可靠性试验数据进行分析,指出文[1]中可靠性评估方法的错误,同时指出B类失效不服从指数分布,AMSAA-BISE模型和GJB/Z77的多台产品AMSAA模型不符合
MIL-HDBK-189、MIL-HDBK-7814和GJB/Z77中的多台产品AMSAA模型只有当所有的B类失效服从指数分布时才成立.实际的失效数据,包括35台产品的可靠性增长试验数据和80台产品的现场使用数据,表明多台产品AMSAA模型存在问题.