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利用准分子脉冲干涉激光晶化技术使非晶硅/非晶氮化硅(a-Si:H/a-SiNX:H)多层膜中的超薄a-Si:H层定域晶化,成功地在超晶格结构的生长平面内定域制备出有序分布的纳米硅(nc-Si)结构.同时,用原子力显微镜(AFM)、微区拉曼光谱(Raman)及剖面透射电子显微镜(X-TEM)研究了制备出的纳米硅的微结构.