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随着中国航天事业的飞速发展,国家对空间抗辐照电子元器件的需求越来越迫切.SRAM作为空间电子元器件中不可或缺的重要部件,其抗辐照加固设计一直都是学者们重点研究的课题.本文针对SRAM存储单元中的单粒子翻转(SEU)和单粒子多位翻转(MBU)问题,提出了一种基于版图交织的加固技术,TCAD模拟验证结果表明该技术能够有效地抑制SEU和MBU.