【摘 要】
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电子设备的广泛使用带来的设备干扰及浪涌冲击等问题使人们开始关注SrTiO基压敏电阻器件材料的开发.本文介绍了SrTiO基压敏电阻的一般制造配方和工艺流程.和ZnO基压敏电阻相比,此材料在低压领域具有更优良的电气性能,如较大的电容量(C=10~150nF);在高于电压临界值又具有较低压敏电压;非线性系数在5~43之间可调;耐浪涌能量大;并且具有自复位特性.这些特性使得它具有高频噪声吸收、前沿快速上升
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
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电子设备的广泛使用带来的设备干扰及浪涌冲击等问题使人们开始关注SrTiO<,3>基压敏电阻器件材料的开发.本文介绍了SrTiO<,3>基压敏电阻的一般制造配方和工艺流程.和ZnO基压敏电阻相比,此材料在低压领域具有更优良的电气性能,如较大的电容量(C=10~150nF);在高于电压临界值又具有较低压敏电压;非线性系数在5~43之间可调;耐浪涌能量大;并且具有自复位特性.这些特性使得它具有高频噪声吸收、前沿快速上升型脉冲噪声吸收和浪涌吸收等功能.针对武器系统的高性能要求,本文提出了SrTiO<,3>基压敏电阻在直流电机消噪、电源输入端、吸收电感性负载开关浪涌、旁路电容器、通信线路防护、防止电涌冲击等方面的应用.
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