【摘 要】
：
作者研究了未经处理的多壁碳纳米管/聚偏氟乙烯(MWNT/PVDF)复合材料体系的介电性能发现,在低频下,复合材料的介电常数随MWNT的含量增加而迅速增加,当体积分数为2.0％时,介电常
【机 构】
：
北京化工大学教育部纳米材料重点实验室,北京,100029
【出 处】
：
第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议
论文部分内容阅读
作者研究了未经处理的多壁碳纳米管/聚偏氟乙烯(MWNT/PVDF)复合材料体系的介电性能发现,在低频下,复合材料的介电常数随MWNT的含量增加而迅速增加,当体积分数为2.0％时,介电常数高达300左右,并且复合材料的渗流阚值仅为1.61％.MWNT较大的长径比和较高的电导率导致复合体系渗流阈值较低.发生渗流效应时,复合材料的介电损耗低于0.4,与频率无关.因此,可以认为未经过化学处理的碳纳米管可以大幅度地改善PVDF基复合材料的介电性能.
其他文献
采用无压浸渗方法制备了SiC颗粒增强铝基复合材料,研究了材料的微观组织和力学性能.结果表明,复合材料浸渗完全,SiC颗粒分布均匀,无偏聚现象.铸造态复合材料中存在界面反应,
采用纳米晶PVC和PVDF两种聚合物为基体,采用复合材料模压工艺制备了PZT/聚合物压电复合材料,研究了聚合物基体和陶瓷体积分数对复合材料的结构及介电、压电和铁电性能的影响.
加拿大魁北克省北部的广阔大地,几乎是一片冻土。那里世代居住着克里族印第安人。他们居住的中心是一个叫伐斯克格涅希的小镇(克里族语的意思是“小屋”)。不久以前这里还是
左边两台机器:一个接受布隆伯格资讯,一个显示布里奇公司发送的信息;右边放着道-琼斯公司的信息终端,正面对着的则是两台路透社的电脑终端。这是国外一个证券经纪人被接收信
用真空熔炼、快淬工艺以及球磨工艺制备稀土基无钴AB5型La(NiMnAlFe)5贮氢合金,用XRD测试了合金的相结构,并测试了不同制备工艺下合金的电化学性能.研究了制备工艺对无钴合金
使用工业偏钛酸为前驱体,在磷酸介质中借助于水热合成方法,制备了二氧化钛纳米颗粒.通过透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、光催化活性检测仪等
用sol-gel工艺直接在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出了a轴择优取向(α(100)=62％)和高c轴取向(α(100)=96％)的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)薄膜.发现BNdT薄膜的铁电介电性能强烈依赖于
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1
随着我国汽车工业的飞速发展和人民物质生活水平的不断提高,汽车特别是轿车已经走人千家万户。与此同时,一种新兴的行业——汽车美容业悄然兴起,并且已成为热门行业之一,越来
采用新型的丝网印刷晶粒定向技术,以Bi2O3,CaCO3和TiO2纳米粉体为原料,无需模板晶种直接制备出高度织构化的CaBi4Ti4O15陶瓷.系统研究了烧结温度、时间、升温速度以及原料粉