石墨烯超晶格杂化结构的CVD可控生长

来源 :中国化学会第28届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qq243129435
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  石墨烯超晶格结构即石墨烯与其衍生物或者化学修饰产物形成的周期性杂化结构,是制备功能化石墨烯电子器件的重要材料.目前,石墨烯超晶格结构的制备方法仅仅局限于石墨烯的局域选择性的化学修饰,例如,James M.Tour等人利用图形化的化学修饰制备了的石墨烯/石墨烷的超晶格结构[1].新颖而有效的制备石墨烯超晶格结构的方法还亟需进一步拓展.我们发展了石墨烯和氮掺杂石墨烯的超晶格结构的化学气相沉积(CVD)生长方法:先通过控制成核位点,生长本征石墨烯单晶畴区阵列[2],然后以每个晶畴为晶种,生长氮掺杂的石墨烯,形成周期性的杂化结构.通过改变晶种的尺寸和间距,可以调控超晶格的结构和周期.石墨烯和氮掺杂石墨烯的超晶格结构可以形成周期性的石墨烯p-n结,在光电检测和光电转换器件应有方面具有重要意义.
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