【摘 要】
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为了获得可靠的、高性能的器件,传统晶体管的特征尺寸在不断缩小.然而在器件小型化进程中受到物理学、热电学等理论的挑战,已趋于极限.一些新工艺的诞生正试图打破这些制约.本文将就绝缘体上硅(SOI)技术、应变硅(StrainedSilicon)技术、双栅介质(doublegate)技术等作以讨论.特别会对双栅介质技术的工作原理及工艺制造过程加以叙述.期待在不久的将来双栅介质技术得到成功推广应用.
【机 构】
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国防科学技术大学计算机学院,长沙,410073
【出 处】
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第九届计算机工程与工艺全国学术年会
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为了获得可靠的、高性能的器件,传统晶体管的特征尺寸在不断缩小.然而在器件小型化进程中受到物理学、热电学等理论的挑战,已趋于极限.一些新工艺的诞生正试图打破这些制约.本文将就绝缘体上硅(SOI)技术、应变硅(StrainedSilicon)技术、双栅介质(doublegate)技术等作以讨论.特别会对双栅介质技术的工作原理及工艺制造过程加以叙述.期待在不久的将来双栅介质技术得到成功推广应用.
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