【摘 要】
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在０￣８Ｔ磁场范围内，测量了ＹＢａ〈，２〉Ｃｕ〈，３〉Ｏ〈，７－δ〉外延薄膜的电阻转变和磁阻曲线。实验结果表明，临界温度以下，混合态的耗散电阻率能很好地用热激活磁通蠕动描述。有效钉扎势的温度和磁场关系遵守Ｕ∞（１－Ｔ／Ｔ〈，ｃ》）〈’ｎ〉Ｈ〈’－〉〈’□〉关系。用热激活磁通蠕动模型能很好地将不同温度下的磁阻曲线标定到一条曲线上。
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在０￣８Ｔ磁场范围内，测量了ＹＢａ〈，２〉Ｃｕ〈，３〉Ｏ〈，７－δ〉外延薄膜的电阻转变和磁阻曲线。实验结果表明，临界温度以下，混合态的耗散电阻率能很好地用热激活磁通蠕动描述。有效钉扎势的温度和磁场关系遵守Ｕ∞（１－Ｔ／Ｔ〈，ｃ》）〈’ｎ〉Ｈ〈’－〉〈’□〉关系。用热激活磁通蠕动模型能很好地将不同温度下的磁阻曲线标定到一条曲线上。
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