氧化锌是宽禁带直接带隙半导体.其高达60meV的激子结合能,使其成为制造高效率短波长发光和激光器件的理想材料.历经十余年的发展,ZnO基半导体的研究在薄膜生长,杂质调控,器件应用研究方面获得了令人鼓舞的进展.在本文中,将重点介绍氮掺杂p型ZnO及其相关器件研究的代表性结果，氮受主深度的理论计算和实验事实之间的矛盾，预示着必有一种不同于简单氧位氮的受主结构以及一个新的掺杂机理。通过理论计算发现，在Zn0的锌极性面上，可以形成一种亚稳态双施主复合缺陷（NZn-VO），它在MBE生长期间是可以稳定存在的，但可以在生长完成后通过其他激发方式转变为-个稳态的双受主缺陷(NO-VZ)，这也在根本上回避了自补偿。这一掺杂机理被其他研究组的实验报道所引用和证实，且实际测量的受主离化能与计算结果相符合。这一掺杂机理，解释了以往理论计算与实验结果之间的不一致，也为氮掺杂p型Zn0提供了一个充满希望的实现路径。在p-Zn0研究的同时，开展了Zn0紫外发光及探测器的研究，取得了一些重要研究结果，验证了p-Zn0掺杂的有效性。