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采用激光分子束外延(PLD)的方法在平整及(110)方向上具有不同斜切角(2.,4°,6.)的miscut硅基底上直接沉积不同厚度的SrBi2Ta2O9 (SBT)钙钛矿铁电薄膜,制备具有不同应变及应变梯度的铁电薄膜及多层结构.
SrBi2Ta2O9外延铁电薄膜的挠曲电效应
【摘 要】
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采用激光分子束外延(PLD)的方法在平整及(110)方向上具有不同斜切角(2.,4°,6.)的miscut硅基底上直接沉积不同厚度的SrBi2Ta2O9 (SBT)钙钛矿铁电薄膜,制备具有不同应变及应变梯度的铁电薄膜及多层结构.
【机 构】
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广东工业大学物理与光电工程学院,广州510006 湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湖
【出 处】
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2013中国力学大会
【发表日期】
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2013年2期
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