【摘 要】
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低维直接窄带隙的砷化铟材料具有超高的电子迁移率和优异的光学及电学性能，可以广泛应用到纳米电子器件、纳米光电子器件和量子器件中。我们采用MBE 的方法通过控制合金催化剂偏析实现了晶圆级高质量InAs 纳米结构的生长。与一维纳米线相比，二维纳米带具有更优越的电子输运特性、更大的表面与体积比、更丰富的表面电荷积累层和表面缺陷态。
【出 处】
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2020第三届光电材料与器件发展研讨会
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低维直接窄带隙的砷化铟材料具有超高的电子迁移率和优异的光学及电学性能，可以广泛应用到纳米电子器件、纳米光电子器件和量子器件中。我们采用MBE 的方法通过控制合金催化剂偏析实现了晶圆级高质量InAs 纳米结构的生长。与一维纳米线相比，二维纳米带具有更优越的电子输运特性、更大的表面与体积比、更丰富的表面电荷积累层和表面缺陷态。
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