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以硝酸铋的水溶液为先驱体,用喷雾热解的技术,在单晶硅衬底制备出氧化铋薄膜,再热转换得到硅酸铋薄膜.对所得样品进行XRD光谱、折射率、红外光谱、电流密度与电场特征曲线测试分析.结果表明:样品化合物的化学成份和热处理的温度有关;在600℃时得到亚稳相的Bi2SiO5薄膜,在750℃时合成稳定相的Bi4Si3O12薄膜;可以用扩散机制来解释氧化铋薄膜向硅酸铋薄膜的热转换过程;对有Bi4Si3O12绝缘层的金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的电流密度-电场特征曲线分析,施加2.0 MV/cm电场时的Bi4Si3O12薄膜的电流密度的数量级为10-6 A/cm2.