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以硝酸铋的水溶液为先驱体，用喷雾热解的技术，在单晶硅衬底制备出氧化铋薄膜，再热转换得到硅酸铋薄膜.对所得样品进行XRD光谱、折射率、红外光谱、电流密度与电场特征曲线测试分析.结果表明：样品化合物的化学成份和热处理的温度有关；在600℃时得到亚稳相的Bi2SiO5薄膜，在750℃时合成稳定相的Bi4Si3O12薄膜；可以用扩散机制来解释氧化铋薄膜向硅酸铋薄膜的热转换过程；对有Bi4Si3O12绝缘层的金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的电流密度-电场特征曲线分析，施加2.0 MV/cm电场时的Bi4Si3O12薄膜的电流密度的数量级为10-6 A/cm2.