电磁脉冲场对典型微电子设备干扰与损伤效应的实验研究

来源 :2004年全国通信防雷技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：whitewolf1573

【摘要】

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本文针对电磁脉冲场对典型微电子设备的干扰与损伤效应问题利用电磁脉冲模拟器进行了实验研究.实验结果表明,无论脉冲电场、脉冲磁场,对设备的干扰阈值决定于脉冲的上升时间.

【作者】

：

周璧华石立华高成

【机构】

：

解放军理工大学雷电与电磁脉冲研究所

【出处】

：

2004年全国通信防雷技术研讨会

【发表日期】

：

2004年9期

【关键词】

：

电磁脉冲效应脉冲电场脉冲磁场微电子设备干扰损伤

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本文针对电磁脉冲场对典型微电子设备的干扰与损伤效应问题利用电磁脉冲模拟器进行了实验研究.实验结果表明,无论脉冲电场、脉冲磁场,对设备的干扰阈值决定于脉冲的上升时间.上升时间短,则干扰阈值低.新参数脉峰升率(PRR)的提出为评价电子设备对EMP骚扰的敏感性和易损性及利用不同测试条件下的有关数据提供了依据.

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