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电容法测量硅片几何参数（厚度、TTV）已得到广泛应用，较有接触测试其具有高效、不损伤硅片表面质量的优点，目前已有ADE6034及Wafer Check 7000、7200等自动测试分选设备，但是，当被测样品的电阻率均匀性较差或与设备校正样片的电阻率差别较大时，其测试误差较大。本文在对电容法测量硅片厚度的原理分析基础上，根据电阻率与介质介电常数ε的对应关系，分析了用电容法测试硅片厚度时，电阻率及电阻率均匀性对测试结果的影响，并采用千分尺（有接触测试）、ADE6034及Wafer Check 7000（电容法测试）分别对不同电阻率及电阻率均匀性的样品进行测试比对。试验结果证明，电容法可以测量高电阻率硅片的厚度等几何参数，但不能测量电阻率均匀率较差的硅片，同时，校正电容法测量设备时，以校正样片电阻率与被测硅片电阻率范围接近为原则。