【摘 要】
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提出了一种改进型非线性补偿CMOS带隙基准源,该基准源在已有非线性补偿带隙基准源的基础上做了改进,减少了原有电路的规模，在char0.35工艺下实现了电路。仿真结果表明,该
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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提出了一种改进型非线性补偿CMOS带隙基准源,该基准源在已有非线性补偿带隙基准源的基础上做了改进,减少了原有电路的规模，在char0.35工艺下实现了电路。仿真结果表明,该基准源具有较高的温度稳定性以及电源抑制特性,在输出为563mV,温度由-25℃变化至125℃时,输出波动±0.1mV,电路的功耗为0.6mW,面积仅为0.04mm2。
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