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文章报道了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件,采用无锡华润上华(CSMC)0.5um标准CMOS工艺设计和制备。该器件在p型衬底上进行n+掺杂,与p衬底形成两个相对的n+p结。其中一个结正向偏置,发出峰值波长在1100nm附近的红外光,另一个结同样正偏作为注入结对发光进行调制。测试结果显示,第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率,在10ma偏置电流,3V的调制电压下,可获得1nw的光功率,与单结相比提高了两个数量级。由于低工作电压,该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成,在光电集成领域有巨大的应用前景。