本文采用双源共蒸的方法制备了不同混合比例的HfO₂-SiO₂单层膜。镀膜过程中基底烘烤温度为200℃。本底真空度和氧分压分别为9×10^-6mbar和2×10^-4mbar。制备的两种起始材料分别是Hf和SiO₂,基底材料为Φ50×5mm的石英基底。通过调节两种材料的沉积速率比实现不同混合比例薄膜的制备。实验中采用光控法对薄膜的厚度进行了监控,监控波长为600nm。所制备的几种混合物单层膜具有相同的光学厚度均为1.5λ。镀膜过程完成后,使用X射线光谱能谱仪（XPS）对混合物单层膜的混合比例进行了表征。XPS结果表明,几种混合物单层膜中SiO₂的含量分别为O%,14%,38%,54%,75%,85%,100%。使用Lambda 1050光谱仪对几种不同混合比例的单层膜的透射率进行了测量,并使用Essential Macleod软件使用包络法对其折射率进行了反演。测得的透射率光谱曲线和反演得到的折射率结果分别如图（a）和（b）所示。从（b）图中,明显可以看出,在本文所研究的几种混合比例的单层膜中,SiO₂含量为14%时,其折射率最高,甚至高于纯HfO₂薄膜。本实验还使用X射线衍射仪（XRD）对几种不同比例的混合物单层膜的结构性质进行了表征。实验结果表明,除了纯HfO₂单层膜（即SiO₂含量为0%的单层膜）为多晶态之外,其余的单层膜均无明显的晶向特征,为无定形态。实验最后,使用原子力显微镜（AFM）对几种不同混合比例的单层膜的表面粗糙度信息进行了表征。测试范围为5μm×5μm,测试结果如下图2所示。结果表明,在本文所研究的几种混合比例的单层膜中,混合物单层膜的均方根粗糙度值均小于两种纯膜,且在SiO₂含量为14%时达到极小值。