平面工艺Si-PIN低能X射线探测器研制

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叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能x射线探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化和保护环技术。文章给出了厚度500μm,灵敏面积分别为5mm^2、10mm^2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm^2的探测器在室温及温差电致冷条件下对拍Fe5.9keV X射线的能谱响应测量结果。
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