氮杂质在ZnO氧极性表面的原子动力学行为

来源 :中国物理学会2015年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangyng

【摘要】

：

　　实现ZnO材料稳定和可重复的p型掺杂是其能够在光电器件,诸如LED、激光及自旋电子器件等,中广泛应用的壁垒之一.N原子因与O原子大小相近,被视为ZnO的p型掺杂剂候选之一.但

【作者】

：

王浩詹华瀚康俊勇

【机构】

：

厦门大学物理系,厦门 361005

【出处】

：

中国物理学会2015年秋季会议

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

氮杂质 ZnO材料极性表面自旋电子器件缺陷复合体原子光电器件掺杂剂

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　　实现ZnO材料稳定和可重复的p型掺杂是其能够在光电器件,诸如LED、激光及自旋电子器件等,中广泛应用的壁垒之一.N原子因与O原子大小相近,被视为ZnO的p型掺杂剂候选之一.但理论上认为,N替代O(NO)的空穴离化能有1.3 eV之多,难于形成p型ZnO,实验上测得的p型电导可能与含N的缺陷复合体有关.

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