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该文阐述采用差分对管基极—发射极结压降差ΔVbe正比于绝对温度T的特性而研制成功单片温度传感器。经测试表明，在-50°C至150°C范围内，温度测量精度为±1°C，达到国内先进水平。并对单片温度传感器的设计、制造、性能、特性进行分析。（本刊录）
集成化温度传感器的研究
【摘 要】
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该文阐述采用差分对管基极—发射极结压降差ΔVbe正比于绝对温度T的特性而研制成功单片温度传感器。经测试表明，在-50°C至150°C范围内，温度测量精度为±1°C，达到国内先进水平
【机 构】
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西安交通大学
【出 处】
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1986年中日电子敏感技术科学讨论会
【发表日期】
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1986年期
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