【摘 要】
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多孔硅材料具有较高的室温可见光发射效率，为实现硅基光电子集成，使光子成为信息载体，实现信息存储和处理的更大容量和更高速度提供了可能。然而多孔硅发光性能不稳定，在空气
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所 核分析技术重点实验室,北京 100049
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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多孔硅材料具有较高的室温可见光发射效率，为实现硅基光电子集成，使光子成为信息载体，实现信息存储和处理的更大容量和更高速度提供了可能。然而多孔硅发光性能不稳定，在空气环境保存容易使使孔壁表面化学环境发生变化，导致发光强度的降低和峰位的移动。为提高发光强度和稳定性，通常对孔壁表面进行处理。多孔硅发光起源复杂，尤其是晶粒较小且表面态发生变化后的样品发光起源在现有的模型中很难得到解释。目前发光机理的研究结果显示，在Si-SiO2界面存在的高局域性的缺陷在发光过程中同时起到重要作用，表明样品的发光性能与样品表面缺陷态与顺磁性缺陷有关。
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