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在LiNbO<,3>中掺进In<,2>O<,3>和ZnO生长In:Zn:LiNbO<,3>晶体，以苯甲酸质子交换法制做光波导基片，采用m线法研究In:Zn:LiNbO<,3>晶体波导基片的光损伤。In:Zn：LiNbO<,3>晶体抗光损伤能力比LiNbO<,3>提高两个数量级。
In:Zn:LiNbO<,3>晶体光彼导基片光损伤的研究
【摘 要】
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在LiNbO中掺进InO和ZnO生长In:Zn:LiNbO晶体，以苯甲酸质子交换法制做光波导基片，采用m线法研究In:Zn:LiNbO晶体波导基片的光损伤。In:Zn：LiNbO晶体抗光损伤能力比LiNbO提高两个
【机 构】
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滨工业大学应用化学系
【出 处】
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第三届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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1998年期
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