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在基于自旋转移矩效应的高密度磁电阻随机存储器(STT-MRAM)中,应用具有垂直磁各向异性的自旋阀或磁隧道结结构,有助于在维持器件的良好热稳定性同时减少翻转所需的电流密度,因而已成为当前的研究热点[1].
垂直各向异性自旋阀中的[Co/Ni]N/TbCo复合参考层研究
【摘 要】
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在基于自旋转移矩效应的高密度磁电阻随机存储器(STT-MRAM)中,应用具有垂直磁各向异性的自旋阀或磁隧道结结构,有助于在维持器件的良好热稳定性同时减少翻转所需的电流密度,
【机 构】
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微纳光子结构教育部重点实验室,复旦大学光科学与工程系,上海,200433
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年期
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