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研究和比较了５种硅基材料（单晶Ｓｉ、单晶ＳｉＣ、烧结ａ－ＳｉＣ、ＣＶＤ－Ｓｉ＜，３＞Ｎ＜，４＞和烧结Ｓｉ＜，３＞Ｎ＜，４＞）在１１００～１４００℃温度和１０１。３３ｋＰａ氧气环境中的氧化行为和氧化机理。氧化硅材料的抗氧化性能最优良，碳化硅材料次之，硅的抗氧化性能最差。氧元素通过氧化产物层的扩散是氧化过程的控制因子。烧结碳化硅比单晶碳化硅的氧化速度快了近一倍。烧结氮化硅的氧化表现为先快速进行，随后逐渐趋向停止的异常行为。对它们的氧化机理进行了探讨。