【摘 要】
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本文提出一种新型RF-LDMOS 功率器件大信号电热耦合模型，其热模型包括分布热模型和瞬时热模型。分布热模型采用3D 镜像方法预测LDMOS 功率器件温度随指条的分布，当器件等比例缩放时，也可采用此模型预测平均热电阻。瞬时热模型采用多时间常数RC 网络为瞬时热效应精确建模。使用该电热耦合模型研究线性化预矫正系统的热记忆效应，通过一个60W 器件的仿真结果可以看出，该模型可以更精确地预测ACPR（A
【机 构】
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东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心,江苏苏州215123 东南大学国家ASIC 系统工程中心,江苏南京 210096
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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本文提出一种新型RF-LDMOS 功率器件大信号电热耦合模型，其热模型包括分布热模型和瞬时热模型。分布热模型采用3D 镜像方法预测LDMOS 功率器件温度随指条的分布，当器件等比例缩放时，也可采用此模型预测平均热电阻。瞬时热模型采用多时间常数RC 网络为瞬时热效应精确建模。使用该电热耦合模型研究线性化预矫正系统的热记忆效应，通过一个60W 器件的仿真结果可以看出，该模型可以更精确地预测ACPR（Adjacent Channel Power Ratio）衰减。
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