【摘 要】
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锑单质体相材料是具有-180meV带隙的半金属[1],当锑单质的尺度减小到的德布罗意波长(40nm)[2]以下时,量子尺寸效应表现明显.对于锑薄膜而言,临界厚度在4nm[2],因此单原子
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锑单质体相材料是具有-180meV带隙的半金属[1],当锑单质的尺度减小到的德布罗意波长(40nm)[2]以下时,量子尺寸效应表现明显.对于锑薄膜而言,临界厚度在4nm[2],因此单原子层厚度的锑纳米带会出现半金属-半导体的转变,而且其不同的手性,会表现出与体相、纳米线不同的性质.本文研究了两种不同手性,数种带宽的锑纳米线,并跟以往的Bi/Sb[3],Bi纳米带[4]比较,发现无论是椅型,锯齿型的纳米带都会出现带边的重构,而且锯齿型的带隙大于相同带宽的椅型的带隙.并且它们的带隙根据奇偶性不同表现出不同的变化规律(图1).宽度接近1nm时,ZT可以达到1.8以上,同时当带宽大于4nm时,ZT与带宽无关,在300K时可以达到0.7左右(图2),锯齿型纳米带的研究工作还在进行中.
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