论文部分内容阅读
采用埋炭黑高温处理方法，借助X射线衍射仪、场发射扫描电镜、高分辨透射电镜及热重-差示扫描量热仪等仪器，研究了埋碳床中单质硅作为抗氧化剂时多壁碳纳米管(简称MWCNTs)的结构演变及其抗氧化性能。结果表明：当处理温度为1 000～1 400℃时，多壁碳纳米管表面生成SiC等陶瓷组分涂层，1 500℃时，大部分碳纳米管转化为SiC纳米线，部分直径达到200 nm左右；经处理的多壁碳纳米管的抗氧化性也得到提高,碳纳米管在空气中氧化峰值温度由处理前的650℃升高至730℃；非等温氧化动力学试验研究显示，经各温度处理后MWCNTs的氧化活化能远高于原MWCNTs氧化活化能，这一方面证实在各温度下在多壁碳纳米管表面形成了一定厚度的碳化硅等涂层，同时也说明上述在多壁碳纳米管表面形成的涂层，有利于提高其抗氧化性能。