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该文采用有限差分方法对高压功率双栅ＭＯＳＦＥＴ（ＤＧＭＯＳＦＥＴ）的直流特性进行二维数值分析。验证了ＤＧＭＯＳＦＥＴ的低压ＭＯＳＦＥＴ和ＶＤＭＯＳＦＥＴ的公共Ｎ＋浮空区可以近似看成恒定电阻；发现ＤＧＭＯＳＦＥＴ中ＶＤＭＯＳＦＥＴ的沟道掺杂的不均匀性，将使ＶＤＭＯＳＦＥＴ的饱和夹断点移向沟道内部，对此该文做出明确的物理解释；最后，该文给出了ＤＧＭＯＳＦＥＴ的电流分布图及电势分布图。（本刊录）