论文部分内容阅读
背面多孔硅层对SIMOX/SOI中铜杂质的吸除作用研究
【机 构】
:
大学电子工程系(上海)
【出 处】
:
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
:
1997年期
其他文献
该文介绍利用厚膜工艺制作用于温度测量和仪表电路温度补偿的混合厚膜热敏网络。该方法适合于批量生产,制作的网络器件具有体积小、响应速度快、互换性好等特点。
用AlO钝化的方法对多孔硅进行了后处理,获得了光致发光强度强,发光稳定的样品.通过对样品傅里叶变换红外吸收谱的测试和分析,指出了AlO的结构的产生是实验中多孔硅发光稳定性
传统的封闭式MEMS器件制造方式,使得与标准IC工艺兼容的单片集成较为困难.本文提出一种新的MEMS单片集成方法—后微机械开放式制造方式,即先做集成电路和敏感元件,利用相应的
采用电化学阳极氧化技术在P型单晶硅片上形成一层多孔硅(PS)层,应用表面光电压谱(SPS)、荧光光谱和吸收光谱等研究了不同的制备工艺条件对多孔硅表面光伏特性的影响.研究结果