【摘 要】
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对间隙氧含量高达10atoms/cm的直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,使用傅立叶红外变换红外技术(FTIR)和正电子湮没技术(PAT)对样品进行了测试.结果表明,快中子辐照可以降
【机 构】
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河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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对间隙氧含量高达10<18>atoms/cm<-3>的直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,使用傅立叶红外变换红外技术(FTIR)和正电子湮没技术(PAT)对样品进行了测试.结果表明,快中子辐照可以降低硅中的间隙氧含量,同时可以提高硅的正电子湮没寿命,快中子剂量达到1×10<18>n.cm<-2>后,辐照样品中的间隙氧达到一个极小值,随着辐照剂量增加不再减小,而正电子湮没平均寿命达到一个极大值,随着辐照剂量增大不再增大.对辐照剂量最大的样品进行不同温度1小时的等温热处理之后发现,600℃等温处理1小时之后,样品的正电子平均寿命达到一个极大值,而同时间隙氧含量降低到一个极小值,表明氧参与了长寿命四空位缺陷的生成.
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