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在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。由于台面线宽在微米量级，因此套准精度控制不好就会造成SiC器件的短路问题。本论文通过对厚层介质掩膜下小台面与其上大台面光刻套准精度的研究，得到了优化后的光刻条件，使大台面与小台面之间的图形转移偏移量由lOOnm降至20nm以内，刻蚀后形成的SiC大台面与小台面套准良好，用于自主外延的SiC片制作的相关器件得到了良好结果。