【摘 要】
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本文给出了使用国产ICP设备制作GaN台面的实验结果,经过实验选定的工艺条件为:充气前真空度5×10Pa;Ar流量60sccm;CClF流量60sccm;ICP功率400W;RF功率100W;自偏压200V.在这样
【机 构】
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信息产业部电子第十三研究所(石家庄)
【出 处】
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第八届全国LED产业研讨与学术会议
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本文给出了使用国产ICP设备制作GaN台面的实验结果,经过实验选定的工艺条件为:充气前真空度5×10<-3>Pa;Ar流量60sccm;CCl<,2>F<,2>流量60sccm;ICP功率400W;RF功率100W;自偏压200V.在这样的条件下的刻蚀速度可达400nm/min,获得的GaN台面表面光亮、侧壁比较陡直,台面厚度大于0.7μm,并具有较好的重复性.采用国产ICPI设备可满足制作GaN LED芯片台面的要求,也可用于制作其它氮化物半导体电子器件.
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