【摘 要】
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ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，同时也是一种机电耦合系数较大的压电材料。在光电器件、声光器件和声表面波器件等领域有很大的应用潜力。本文利用射频磁控溅射系统在金刚石衬底上生长了ZnO薄膜，溅射系统的本底真空度为3×10-5mTorr，溅射靶材为纯度为99.999％的3英寸ZnO陶瓷靶，使用氩气和氧气纯度均为99.999％，溅射气压保持在3.6mTorr。利用X射线衍射方法分析了ZnO薄膜的
【机 构】
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100854 北京长峰声表面波公司
【出 处】
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2009年全国压电和声波理论及器件技术研讨会暨2009年全国频率控制技术年会
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ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料，同时也是一种机电耦合系数较大的压电材料。在光电器件、声光器件和声表面波器件等领域有很大的应用潜力。本文利用射频磁控溅射系统在金刚石衬底上生长了ZnO薄膜，溅射系统的本底真空度为3×10-5mTorr，溅射靶材为纯度为99.999％的3英寸ZnO陶瓷靶，使用氩气和氧气纯度均为99.999％，溅射气压保持在3.6mTorr。利用X射线衍射方法分析了ZnO薄膜的结晶性能，其中，在氧氩比为1：2、衬底温度为400℃、射频功率为200W的条件下溅射2h得到的ZnO薄膜，利用X射线衍射观察到ZnO的(002)峰。其中(002)峰的半峰宽为0.589。同时在ZnO薄膜上制作了叉指换能器，线条宽度1.59μm，并利用矢量网络分析仪对制作的器件进行测量，得到器件的频率为1.07GHz。
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