【摘 要】
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Ⅲ族氮化物由于其优越的性能和广泛的用途,一直是半导体中的研究热点。作为氮化物中的重要一员,氮化铟(InN)有着卓越的电学性质和特殊的禁带宽度,同时InN又和AlN、GaN一样具
【机 构】
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中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室 北京海淀区清华东路甲35号 100083
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Ⅲ族氮化物由于其优越的性能和广泛的用途,一直是半导体中的研究热点。作为氮化物中的重要一员,氮化铟(InN)有着卓越的电学性质和特殊的禁带宽度,同时InN又和AlN、GaN一样具有稳定的化学、机械性质,能够在恶劣的环境下(比如高温、太空中)保持优越的光电性质。可以认为,InN将使氮化物的应用从传统的可见-紫外发光器件、高速大功率电子器件大大扩展到诸如:太阳电池、太赫兹器件、红外光电子器件、化学传感器等全新领域。
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