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本文介绍了VDMOS器件工艺流程中产生的一种常见的寄生结构--划片槽中的寄生P-well，并以200V VDMOs器件为例，通过器件模拟验证寄生P-well对VDMOs器件耐压参数BDVss的影响关系，同时也验证了Guard Ring区域场板长度与器件耐压参数BVDSS之间的关系。最终通过试验验证和理论分析，检验了器件模拟结果的正确性，并提出了解决寄生P-well结构对器件BVDSS参数影响的方法。