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该项研究基于中科院微电子中心深亚微米硅工艺平台,采用了电子束和I线混合光刻加工技术,成功的试制了0.25um SOI NMOS射频器件,阈值电压0.4-0.45伏,沟道导通跨导Gm为195-200ms/mm,特征频率为17.8GHz,展示了该项加工技术在射频前端集成电路开发上的应用前景.
采用电子束/I线混合光刻技术制备0.25微米射频SOI NMOS器件的研究
【摘 要】
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该项研究基于中科院微电子中心深亚微米硅工艺平台,采用了电子束和I线混合光刻加工技术,成功的试制了0.25um SOI NMOS射频器件,阈值电压0.4-0.45伏,沟道导通跨导Gm为195-200m
【机 构】
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中国科学院微电子中心(北京)
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
【发表日期】
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2003年期
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