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许多实验表明：外延材料中的线位错(Threading dislocation,TD)并不影响发光，也不是产生In涨落的原因。但它是形成InGaN漏电流的主要通道。新发展的侧向跨越外迁技术(LEO)和悬吊外延(Pendeo-epitaxy)技术可以大幅度减少TD密度，从而大大降低漏电流，提高LED和LD器件的性能。增加In组分和InGaN阱层的厚度，可获得红色LED。因此，InGaN基量子阱结构器件可以制作从红色到紫外，波长十分宽广的器件。还有许多要采用高温、大功率晶体管的场合，便如自动车引擎、高级电源分配系统、所有的电气交通工具和航空电子设备，也是Ⅲ-氮化物将大显身手的领域，值得关注并组织研究开发。