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掺杂SBT顺电相电子结构研究
掺杂SBT顺电相电子结构研究
来源 :四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ly19900611
【摘 要】
:
利用第一性原理方法,研究SrBi2Ta2O9(SBT)顺电相的电子结构,并根据研究结果以及实验报道,研究了B位掺V和Bi层掺La对其电子结构的影响,指出B位掺杂对电子结构影响不大,而Bi层掺
【作 者】
:
郑哲琦
【机 构】
:
电子科技大学 成都610054
【出 处】
:
四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会
【发表日期】
:
2012年期
【关键词】
:
掺杂
SBT
顺电相
电子结构
第一性原理方法
实验
结果
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利用第一性原理方法,研究SrBi2Ta2O9(SBT)顺电相的电子结构,并根据研究结果以及实验报道,研究了B位掺V和Bi层掺La对其电子结构的影响,指出B位掺杂对电子结构影响不大,而Bi层掺入镧系元素La后能隙明显减小。
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