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利用第一性原理方法,研究SrBi2Ta2O9(SBT)顺电相的电子结构,并根据研究结果以及实验报道,研究了B位掺V和Bi层掺La对其电子结构的影响，指出B位掺杂对电子结构影响不大，而Bi层掺入镧系元素La后能隙明显减小。
掺杂SBT顺电相电子结构研究
【摘 要】
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利用第一性原理方法,研究SrBi2Ta2O9(SBT)顺电相的电子结构,并根据研究结果以及实验报道,研究了B位掺V和Bi层掺La对其电子结构的影响，指出B位掺杂对电子结构影响不大，而Bi层掺
【机 构】
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电子科技大学 成都610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会
【发表日期】
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2012年期
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