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理论计算表明CZTSSe 薄膜中与Sn 相关的缺陷多为深能级缺陷,不利于载流子的传输,同时该类缺陷的形成能可通过薄膜成分进行调控[1-3].在本文中,我们通过调控基于DMF 和DMSO 混合溶剂[4]的前驱体溶液中Zn/Sn 比例(1.0 到1.9),研究Zn/Sn比对所得CZTSSe 薄膜的结晶性、电流传输及电池性能的影响.