【摘 要】
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本文运用X射线衍射分析(XRD)、红外光谱分析(IR)和透射光谱分析,研究了Ge20As25Se55非晶半导体薄膜经514.5nm波长的氩离子激光辐照后的结构及性能变化.实验结果表明,经热处理
【机 构】
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武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北,武汉,430070
【出 处】
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2005中国硅酸盐学会特种玻璃分会学术研讨会
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本文运用X射线衍射分析(XRD)、红外光谱分析(IR)和透射光谱分析,研究了Ge20As25Se55非晶半导体薄膜经514.5nm波长的氩离子激光辐照后的结构及性能变化.实验结果表明,经热处理和激光辐照后,在薄膜中观察到光致漂白效应,即薄膜的光学吸收边均移向短波长处(绿移),并且随着辐照激光强度和辐照时间的增大而增大.利用超外差-光克尔效应法测得薄膜的三阶非线性实部和虚部值分别为6.6×10-12esu和-2.4×10-12esu,其非线性响应时间小于200fs.
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