【摘 要】
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六方氮化硼(h-BN)是一种与石墨烯的结构类似,晶格失配仅为1.7％的层状材料(h-BN：2.50；G：2.46).但与石墨烯不同,六方氮化硼是一种带隙为5.7eV的绝缘体.由于其具有原子级平整的
【机 构】
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北京大学化学纳米化学中心,北京大学化学分子与工程学院,北京大学前沿交叉学科研究院,100871
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六方氮化硼(h-BN)是一种与石墨烯的结构类似,晶格失配仅为1.7％的层状材料(h-BN：2.50；G：2.46).但与石墨烯不同,六方氮化硼是一种带隙为5.7eV的绝缘体.由于其具有原子级平整的表面、无悬挂键、无电子掺杂,而被认为是一种石墨烯电子学器件的理想基底.化学气相沉积(CVD)是一种有望制备大面积高质量氮化硼的方法.目前,利用该方法已经在Cu、Ni、Pt箔材[1,2,3]上生长出单层或少层氮化硼,然而可控制备大畴区、层数均一的氮化硼仍然是个很大的挑战.我们在低压CVD体系中,通过多层Cu箔包裹、调控源的温度及降低生长时间构建近平衡态的气氛,有效抑制了氮化硼的成核,可以生长出三角形、边缘长度可达72μm的氮化硼畴区.我们制备的大畴区氮化硼可作为石墨烯电子学器件的基底,显著提高石墨烯的迁移率.
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